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PD- 91667D
IRF7321D2
TM
FETKY MOSFET & Schottky Diode
l
Co-packaged HEXFET ? Power
MOSFET and Schottky Diode
A
1
8
K
V DSS = -30V
l
l
l
l
l
Ideal For Buck Regulator Applications
P-Channel HEXFET ?
Low V F Schottky Rectifier
Generation 5 Technology
SO-8 Footprint
A
S
G
2
3
4
Top View
7
6
5
K
D
D
R DS(on) = 0.062 ?
Schottky Vf = 0.52V
Description
The FETKY TM family of Co-packaged HEXFETs and
Schottky diodes offer the designer an innovative board
space saving solution for switching regulator and
power management applications. Generation 5
HEXFETs utilize advanced processing techniques to
achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Combinining this technology with International
Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results in
an extremely efficient device suitable for use in a wide
variety of portable electronics applications.
SO-8
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics. The
SO-8 package is designed for vapor phase, infrared or
wave soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings ( T A = 25°C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Maximum
Units
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Pulsed Drain Current à
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt á
Junction and Storage Temperature Range
-4.7
-3.8
-38
2.0
1.3
16
± 20
-5.0
-55 to +150
A
W
mW/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Maximum
Units
R θ JA
Junction-to-Ambient ?
62.5
°C/W
Notes:
? Repetitive rating – pulse width limited by max. junction temperature (see fig. 11)
? I SD ≤ -2.9A, di/dt ≤ -77A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs – duty cycle ≤ 2%
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec.
1
www.irf.com
10/15/04
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